OPA1611+THS6012 (dual paralel output)
Nisam pronašao shemu, ali po sečanju bi morala biti ova:
750R za Rfb THS6012 je po DS bez VF pikovanja, lokalni gain 750R/220R+1 = 4,4V/V
OPA1611 gain znam da sam ga držao niskog za tot cca ispod 10V/V globalne NFB, to je cca oko 390R/51R+1 = 8,6V/V
pa ispadne efektivni interni gain OPA1611 skoro podjednak 8,6-4,4 = 4,2V/V
Kompenzaciju globalne NFB znam da sam radio sa 10p i utrimovao Rcomp na cca 15MHz BW bez VF pikinga!
Za ostale vrednosti nisam siguran, ali bi trebale biti takve za pojedinačne gainove, kao u priloženom shematiku,
bazirao sam se po DS!!!
SIM Macro-i su napravljeni sa TOT performansama DS:
* OPEN-LOOP GAIN AND PHASE VS. FREQUENCY WITH RL, CL EFFECTS (Aol)
* UNITY GAIN BANDWIDTH (GBW)
* INPUT COMMON-MODE REJECTION RATIO VS. FREQUENCY (CMRR)
* POWER SUPPLY REJECTION RATIO VS. FREQUENCY (PSRR)
* DIFFERENTIAL INPUT IMPEDANCE (Zid)
* COMMON-MODE INPUT IMPEDANCE (Zic)
* OPEN-LOOP OUTPUT IMPEDANCE VS. FREQUENCY (Zo)
* OUTPUT CURRENT THROUGH THE SUPPLY (Iout)
* INPUT VOLTAGE NOISE DENSITY VS. FREQUENCY (en)
* INPUT CURRENT NOISE DENSITY VS. FREQUENCY (in)
* OUTPUT VOLTAGE SWING vs. OUTPUT CURRENT (Vo)
* SHORT-CIRCUIT OUTPUT CURRENT (Isc)
* QUIESCENT CURRENT (Iq)
* SETTLING TIME VS. CAPACITIVE LOAD (ts)
* SLEW RATE (SR)
* SMALL SIGNAL OVERSHOOT VS. CAPACITIVE LOAD
* LARGE SIGNAL RESPONSE
* OVERLOAD RECOVERY TIME (tor)
* INPUT BIAS CURRENT (Ib)
* INPUT OFFSET CURRENT (Ios)
* INPUT OFFSET VOLTAGE (Vos)
* INPUT OFFSET VOLTAGE VS. TEMPERATURE (Vos Drift)
* INPUT COMMON-MODE VOLTAGE RANGE (Vcm)
* INPUT OFFSET VOLTAGE VS. INPUT COMMON-MODE VOLTAGE (Vos vs. Vcm)
* INPUT/OUTPUT ESD CELLS (ESDin, ESDout)
Tako da se rezultati simulacije drže DS i AN kompozitnih pojačavača
-poboljšanje SR, BW, šuma i SNR pa i trebalo bi i THD,
ali ovaj (THD) nije uopšte zapisan u direktivama spice modela, tako da ga izostavljam
Možda za kontrolu pogledati THD prvog i drugog opampa pojedinačno (1. sa 2K LOAD i 2. sa 50R LOAD)
i kasnije pogledati tendenciju THDja kompozitnog spoja, barem se dobija uvid šta se može očekivati... :-)
-180dB THDja tek je netrivialno izmeriti, LNA bi trebao takodjer biti kompozitni 1000x gain +, shildovanje, posebno tretiran prostor....
zamisli, dva zalutala fotona koja se slučajno zalete na ulaz stohaički dobijemo pogrešan rezultat! :-)
a šta sa neutrinima?
Nisam pronašao shemu, ali po sečanju bi morala biti ova:
750R za Rfb THS6012 je po DS bez VF pikovanja, lokalni gain 750R/220R+1 = 4,4V/V
OPA1611 gain znam da sam ga držao niskog za tot cca ispod 10V/V globalne NFB, to je cca oko 390R/51R+1 = 8,6V/V
pa ispadne efektivni interni gain OPA1611 skoro podjednak 8,6-4,4 = 4,2V/V
Kompenzaciju globalne NFB znam da sam radio sa 10p i utrimovao Rcomp na cca 15MHz BW bez VF pikinga!
Za ostale vrednosti nisam siguran, ali bi trebale biti takve za pojedinačne gainove, kao u priloženom shematiku,
bazirao sam se po DS!!!
SIM Macro-i su napravljeni sa TOT performansama DS:
* OPEN-LOOP GAIN AND PHASE VS. FREQUENCY WITH RL, CL EFFECTS (Aol)
* UNITY GAIN BANDWIDTH (GBW)
* INPUT COMMON-MODE REJECTION RATIO VS. FREQUENCY (CMRR)
* POWER SUPPLY REJECTION RATIO VS. FREQUENCY (PSRR)
* DIFFERENTIAL INPUT IMPEDANCE (Zid)
* COMMON-MODE INPUT IMPEDANCE (Zic)
* OPEN-LOOP OUTPUT IMPEDANCE VS. FREQUENCY (Zo)
* OUTPUT CURRENT THROUGH THE SUPPLY (Iout)
* INPUT VOLTAGE NOISE DENSITY VS. FREQUENCY (en)
* INPUT CURRENT NOISE DENSITY VS. FREQUENCY (in)
* OUTPUT VOLTAGE SWING vs. OUTPUT CURRENT (Vo)
* SHORT-CIRCUIT OUTPUT CURRENT (Isc)
* QUIESCENT CURRENT (Iq)
* SETTLING TIME VS. CAPACITIVE LOAD (ts)
* SLEW RATE (SR)
* SMALL SIGNAL OVERSHOOT VS. CAPACITIVE LOAD
* LARGE SIGNAL RESPONSE
* OVERLOAD RECOVERY TIME (tor)
* INPUT BIAS CURRENT (Ib)
* INPUT OFFSET CURRENT (Ios)
* INPUT OFFSET VOLTAGE (Vos)
* INPUT OFFSET VOLTAGE VS. TEMPERATURE (Vos Drift)
* INPUT COMMON-MODE VOLTAGE RANGE (Vcm)
* INPUT OFFSET VOLTAGE VS. INPUT COMMON-MODE VOLTAGE (Vos vs. Vcm)
* INPUT/OUTPUT ESD CELLS (ESDin, ESDout)
Tako da se rezultati simulacije drže DS i AN kompozitnih pojačavača
-poboljšanje SR, BW, šuma i SNR pa i trebalo bi i THD,
ali ovaj (THD) nije uopšte zapisan u direktivama spice modela, tako da ga izostavljam
Možda za kontrolu pogledati THD prvog i drugog opampa pojedinačno (1. sa 2K LOAD i 2. sa 50R LOAD)
i kasnije pogledati tendenciju THDja kompozitnog spoja, barem se dobija uvid šta se može očekivati... :-)
-180dB THDja tek je netrivialno izmeriti, LNA bi trebao takodjer biti kompozitni 1000x gain +, shildovanje, posebno tretiran prostor....
zamisli, dva zalutala fotona koja se slučajno zalete na ulaz stohaički dobijemo pogrešan rezultat! :-)
a šta sa neutrinima?
LP
Dragan
Dragan