04-12-2019, 08:55 AM
Interesuje me koliki uticaj ima Leakage Current MOSFET-a na tacnost merenja pri nizem mernom opsegu.
Koliko sam shvatio, potrebno je izmeriti jednocifrene uAmpere u sleep modu GSM modula, a struja curenja je reda 1uA pri sobnoj temperaturi i veoma je temperaturno zavisna. Ovaj podatak je iz dataseeta i obicno je dat za malo vece napone Uds (20-tak volti), ali ne znam kolika je ta struja pri relativno malim naponima Uds, kao sto je ovde slucaj i koliko bi uticala na tacnost.
Koliko sam shvatio, potrebno je izmeriti jednocifrene uAmpere u sleep modu GSM modula, a struja curenja je reda 1uA pri sobnoj temperaturi i veoma je temperaturno zavisna. Ovaj podatak je iz dataseeta i obicno je dat za malo vece napone Uds (20-tak volti), ali ne znam kolika je ta struja pri relativno malim naponima Uds, kao sto je ovde slucaj i koliko bi uticala na tacnost.
Novac je sredstvo a ne cilj.