LNA 60dB D100

[Dragan100]

Ostalo je definirati protekcije na ulaznim Gate-ovima JFE2140 u ULNA D100JFET Modulima

Napon Vgate_bias JFE2140 je po DS u prozoru (-1,0V....-0,6V @2,5mA), čak užem prozoru po Figure 6-1.
Pošto je pojačanje 1000V/V (60dB) i napajanje predvidjeno sa +/-9VDC (može inače...do +/-15VDC),
ulazni signal AC_komponente od +/-7,5mVpeak (@PSU+/-9VDC) več pobudjuje izlaz do samog Klippinga!!!

Ulaze možemo zato sada klampovati na nekih +/-0,5...1,0VDC od tog napona Vgate_bias (negdje na  -0,65V), kojeg diktira DCservo+Synthetis_Load_Input.

U DS JFE2140 u sekciji 9.1.1. ima i primer klampovanja upotrebom UltraLowLeakage internih dioda protekcije,
Figure 9-1 poslužit če nam za orientaciju, takodjer i Sekcija 8.2 pošto su te ESD/clamping protekcijske diode na svakom pinu Dual JFETa




PIN VCL JFE2140 možemo upotrebiti, 
-pošto je Source na potencialu skoro GND (oko 5...+10mV)
-Drain je na potencialu oko +3,5V kojeg drži caskoda ulaza
-Gate imamo, rekli smo, na potencialu DCservoa => oko -0,65V
Tako da kad nam "padne" potencial Gata u negativu ispod -1,2...-1,3V, onda počinje klamp VCL (crvena linija klampa) prema BAV199 referentnom naponu (-0,60...0,65VDC)
Znači može nam Gate iči u NEG Swing za -0,6Vpeak max do -1,2V

Za klampovanje "skoka" potenciala Gata u pozitivu nemožemo upotrebiti PIN VCH a da nam Gate ide maximalno sa POS Swingom za +0,6...1,0Vpeak,
zbog Sourca koji nam je na +3,5VDC, pa bi interni klamp Sourca več bio aktivan.
VCH pustimo lebdečeg - non connected n.c.
Zatreba nam dodatna vanjska UltraLowLeakage diodica koja treba imati i vrlo malu kapacitivnost spoja PN (BAV199) kaja če klampovati prema GND (plava linija klampa).


EDIT:
Najverovatnije nečemo uopšte upotrebiti interne protekcijske diodice, da ne dodajemo na Module ULNA dodatne konekcije!
Dodat čemo još jednu BAV199 (Dual diodica) i odradit Gate protekciju na glavnoj PCB!

EDIT:
Dodao u crtež promene klampinga sa externim diodicama. Sad može ulazni signal da Swinguje max +/-0,6VAC