UPDATE:
- dioda okrenuta
- routirani komplet NEG strana
- dodani par padova za bolje hladjenje na IC1
- dodani padovi na L2, pa dali da stavim jos jedan red da budu dva reda zbog boljeg hladjenja?
Ostao bih na rasporedu ovakav kakav jeste, jer putanje su OK, a ako bude problema stavi se preko zavojnica i iC mali aluminijski shield da sprijeci sirenje EMI unutar kutije mada mislim da ce ovako biti super i nece EMI da pravi probleme.
U prilogu PDF SCH i LAYOUT pa ako se moze pogledati dali je to to sto se tice TOP layera (signali), i ako jeste onda bih krenuo sa BOTTOM layerom bakrenim zasekom da se routira GND i da se povezu padovi.
Ja imam u planu kada uSwitcher budu gotov da se strana na kojoj su SMD komponente stavi deblji thermalni pad i da se preko M2.5 sarafa stegne PCB izmedju kucista uredjaja i uSwitcher a izmedju kucista i uSwichera se nalazi thermalni pad koji malo sprijeci sirenje EMI i jos k tome imamo hladjenje preko kucista i thermalnog pada, pa tako dobijemo dva u jedan rjesenje.
Predlozio bih da dok smo jos na POS i NEG boost-inverteru da se napravi tablica promjene otpornika za razlicite izlazne napone i koju struju mozemo max ocekivati, posto SSwitcher ima tako pa da tu tablicu dodam na schematic.
Izlazni max napon neka bude +/-18VDC a minimalni +/-12VDC @ 300mA OUT.
Za 18VDC out trebamo onda korisiti LDO LM317/337 zamjenu regulatore u SMD kucistu posto LDO imaju dropout oko 350mV pa ako idemo sa boost/inverting naponom od 19 do 19.5VDC da se dobije 18VDC posto vidim da nekvi preampi na ovom forumu rade na +/-18VDC ako se koristi mosfet u izlazu, a ako je opamp onda +/-15VDC je savrseno.
Izlazni naponi:
+/- 18V 17V 15V 12V @ 300mA max.
- dioda okrenuta
- routirani komplet NEG strana
- dodani par padova za bolje hladjenje na IC1
- dodani padovi na L2, pa dali da stavim jos jedan red da budu dva reda zbog boljeg hladjenja?
Ostao bih na rasporedu ovakav kakav jeste, jer putanje su OK, a ako bude problema stavi se preko zavojnica i iC mali aluminijski shield da sprijeci sirenje EMI unutar kutije mada mislim da ce ovako biti super i nece EMI da pravi probleme.
U prilogu PDF SCH i LAYOUT pa ako se moze pogledati dali je to to sto se tice TOP layera (signali), i ako jeste onda bih krenuo sa BOTTOM layerom bakrenim zasekom da se routira GND i da se povezu padovi.
Ja imam u planu kada uSwitcher budu gotov da se strana na kojoj su SMD komponente stavi deblji thermalni pad i da se preko M2.5 sarafa stegne PCB izmedju kucista uredjaja i uSwitcher a izmedju kucista i uSwichera se nalazi thermalni pad koji malo sprijeci sirenje EMI i jos k tome imamo hladjenje preko kucista i thermalnog pada, pa tako dobijemo dva u jedan rjesenje.
Predlozio bih da dok smo jos na POS i NEG boost-inverteru da se napravi tablica promjene otpornika za razlicite izlazne napone i koju struju mozemo max ocekivati, posto SSwitcher ima tako pa da tu tablicu dodam na schematic.
Izlazni max napon neka bude +/-18VDC a minimalni +/-12VDC @ 300mA OUT.
Za 18VDC out trebamo onda korisiti LDO LM317/337 zamjenu regulatore u SMD kucistu posto LDO imaju dropout oko 350mV pa ako idemo sa boost/inverting naponom od 19 do 19.5VDC da se dobije 18VDC posto vidim da nekvi preampi na ovom forumu rade na +/-18VDC ako se koristi mosfet u izlazu, a ako je opamp onda +/-15VDC je savrseno.
Izlazni naponi:
+/- 18V 17V 15V 12V @ 300mA max.