02-06-2024, 01:13 PM
C_bypass C8 izmedju Vin (5VDC) i Vout (-18,5VDC) dok BBInverter radi kanališe/filtrira smetnje tako na Vin kao na Vout strani.
AC bypass je tada, a pošto su oba izvora podosta tvrda, onda iz izvora koji ima veče smenje kanališe/filtrira te-iste prema tišem izvoru.
U trenutku kad BBInverter ne radi više, Vout se izprazni, dok Cbypass ostane "bez sigurne putanje praznjenja",
OK, ima putanju praznjenja, ali preko interne diode Mosfeta_bottom (Body diode internog Syncronous mosfeta ICja) i kalema Lbuck.
C_bypass ima i ponešto nagomilane energije, pa bi pin SW preko te interne Body diode u jedno vreme postao negativniji od pina GND ICja,
Body dioda je standardnog tipa, sa Vforward oko 1V kod malo jače struje, što je i naš primer.
SW pin otišao bi tako za -1V ispod potenciala GND ICja, što je po DS štetno (vidjeti Absollute max ratings u DS).
Zato postavljamo Schottky izmedju pina GND prema GND topologije BBInverting.
@ronovar:
-okreni diodu Schottky D2
-kako je sada ucrtana, izlaz Vout neče nikad biti negativniji od cca -0,3...-0,5V
a dioda D2 ugrijat če se do tačke razaranja sebe!
Kaleme bi postavio u donji layer, pridobije se na platzu, Power putanje Ton/Toff se lakše vodi, ostaju što manjih area/površine...
Na donjem layeru imali bi kalemi samo svoj footprint i viase izmedju layera.
Drugo ostane još uvijek sve GND shilding,
a Kelvin sensing, FB, i sve više-impedantne putanje, još uvijek budu "zarobljene" u tom GND shildingu!
AC bypass je tada, a pošto su oba izvora podosta tvrda, onda iz izvora koji ima veče smenje kanališe/filtrira te-iste prema tišem izvoru.
U trenutku kad BBInverter ne radi više, Vout se izprazni, dok Cbypass ostane "bez sigurne putanje praznjenja",
OK, ima putanju praznjenja, ali preko interne diode Mosfeta_bottom (Body diode internog Syncronous mosfeta ICja) i kalema Lbuck.
C_bypass ima i ponešto nagomilane energije, pa bi pin SW preko te interne Body diode u jedno vreme postao negativniji od pina GND ICja,
Body dioda je standardnog tipa, sa Vforward oko 1V kod malo jače struje, što je i naš primer.
SW pin otišao bi tako za -1V ispod potenciala GND ICja, što je po DS štetno (vidjeti Absollute max ratings u DS).
Zato postavljamo Schottky izmedju pina GND prema GND topologije BBInverting.
@ronovar:
-okreni diodu Schottky D2
-kako je sada ucrtana, izlaz Vout neče nikad biti negativniji od cca -0,3...-0,5V
a dioda D2 ugrijat če se do tačke razaranja sebe!
Kaleme bi postavio u donji layer, pridobije se na platzu, Power putanje Ton/Toff se lakše vodi, ostaju što manjih area/površine...
Na donjem layeru imali bi kalemi samo svoj footprint i viase izmedju layera.
Drugo ostane još uvijek sve GND shilding,
a Kelvin sensing, FB, i sve više-impedantne putanje, još uvijek budu "zarobljene" u tom GND shildingu!
LP
Dragan
Dragan