To sve zavisi od drajvera, treba da bude brz i snažani na sve to moraš da nadješ kompromis.
Na primer, kada neku induktivnost napuniš energijom i kreneš da se odkačiš/isklučiš sa tog kola, akumulirana energija u induktivnosti ne može tu da ostane, MORA negde da ode, na krajevima te induktuvnosti neminovno će težiti da se ta energija isprazni tako što bi "pumpalo" napon do veličina praktično bez limita jer pokušavaš da isprazniš eneriju na mnogo velikom "potrošaču/otporu", Giga i Tera Omi koliko ima vazduh, napon bi mogao da ide u više desetina kV i penja bi se sve dok negde na kritičnoj tački ne izbije VARNICA i tu akumuliranu energiju na taj način potroši.
Ista je priča sa hard-switcing režimom, isto bi se to sve desilo da neki pametni ljudi nisu smisli da u MOS-FET tranzistore ugraduju ZENER kao body-diodu koja praktično u tranzicijama ON->OFF ustvari "skuplja" tu akumuliranu energiju i neminovno pretvara u toplotu tako što greje sam tranzistor.
Da nema te body-ZENER-diode u MOS-FET, praktično svi hard-switcing pretvarači, od Flyback preko Class-D i gomila drugih topologija nebi uopšte mogli da rade, svima bi pregoreo MOS-FET odmah nakon uključenja da nema te zenerice koja to sve štiti.
Sa dodatnim "snuberima" se deo te energije prebacuje na R/C komponente da one malo discipiraju kako bi "rasteretio" MOS-FET.
Kompromis koji spominjem je vezan uglavnom za vreme koje moraš da isprojektujes/ufasuješ za obe tranzicije sa ON->OFF i OFF->ON stanje i generalna zavistnost je ta da što si duže u tranziciji to je bolje za potrošač jer je manji stres za njega ali je lošije za tranzistor jer se povecava discipacija.
Ovo se sve odnosi na prekidački režim gde zbog 38V napona moramo da seckamo poluperiode - hard switching.
Da je napon transformatora adekvatan projektovanoj snazi grejača onda ne mora da se ulazi u taj režim i isti HW onda radi u soft-switching režimu.
Na primer, kada neku induktivnost napuniš energijom i kreneš da se odkačiš/isklučiš sa tog kola, akumulirana energija u induktivnosti ne može tu da ostane, MORA negde da ode, na krajevima te induktuvnosti neminovno će težiti da se ta energija isprazni tako što bi "pumpalo" napon do veličina praktično bez limita jer pokušavaš da isprazniš eneriju na mnogo velikom "potrošaču/otporu", Giga i Tera Omi koliko ima vazduh, napon bi mogao da ide u više desetina kV i penja bi se sve dok negde na kritičnoj tački ne izbije VARNICA i tu akumuliranu energiju na taj način potroši.
Ista je priča sa hard-switcing režimom, isto bi se to sve desilo da neki pametni ljudi nisu smisli da u MOS-FET tranzistore ugraduju ZENER kao body-diodu koja praktično u tranzicijama ON->OFF ustvari "skuplja" tu akumuliranu energiju i neminovno pretvara u toplotu tako što greje sam tranzistor.
Da nema te body-ZENER-diode u MOS-FET, praktično svi hard-switcing pretvarači, od Flyback preko Class-D i gomila drugih topologija nebi uopšte mogli da rade, svima bi pregoreo MOS-FET odmah nakon uključenja da nema te zenerice koja to sve štiti.
Sa dodatnim "snuberima" se deo te energije prebacuje na R/C komponente da one malo discipiraju kako bi "rasteretio" MOS-FET.
Kompromis koji spominjem je vezan uglavnom za vreme koje moraš da isprojektujes/ufasuješ za obe tranzicije sa ON->OFF i OFF->ON stanje i generalna zavistnost je ta da što si duže u tranziciji to je bolje za potrošač jer je manji stres za njega ali je lošije za tranzistor jer se povecava discipacija.
Ovo se sve odnosi na prekidački režim gde zbog 38V napona moramo da seckamo poluperiode - hard switching.
Da je napon transformatora adekvatan projektovanoj snazi grejača onda ne mora da se ulazi u taj režim i isti HW onda radi u soft-switching režimu.