Takodje na ovoj gore pločici se vidi kapacitivno/kondenzatorsko napajanje, tu je za 230VAC bio dovoljan 1uF kondenzator, za niže napone treba veći kapacitet ali je dobro što može da se "nakrca" SMD keramika koja može da obezbedi dovoljno struje bar za MCU i detekciju/upravljanje što je vrlo fina i pouzdana/trajna varijanta.
Kada se ova gore pločica prebaci u SMD verziju, izbaci se relej, izbaci se MOC i trimeri, ceo taj deo radi na koliko god treba direktno AC, spomenuo sam 14VAC za 100W verziju ili 20VAC za 200W varijantu, ostaju ti bar dve digitalne linije za I2C ili RX/TX koje možeš da izoluješ ako ti treba i povežeš sa ostatkom HW-a.
Praktično možeš da radiš sa bilo kojim naponom sekundara ali da faznim zasekom limitiraš snagu koja se plasira na grejač.
Sa tim PIC je realizovan fazni zasek u 1000 podela po 50Hz polu-periodi i generalno radi to vrlo fino i precizno.
Cela caka je što to može i sa MOS-FET da se radi potpuno isto umesto triaka ali koncept ZCD sklopa i posebno izvršnog elementa mora da bude maksimalne brzine što u prevodu znači da se više isplati MCU držati na izolovanoj AC strani (na sekundaru glavnog transforamtora) i tu da bude detekcija i upravljanjenje gde ne smetaju nikakvi opto-coupleri, MOS-FET se pokreće iz MCU preko standardnog brzog (neizolovanog) drajvera i to je glavna tu stvar, sve ostalo može preko "sporih" optocouplera na I2C ili RX/TX.
Kada se ova gore pločica prebaci u SMD verziju, izbaci se relej, izbaci se MOC i trimeri, ceo taj deo radi na koliko god treba direktno AC, spomenuo sam 14VAC za 100W verziju ili 20VAC za 200W varijantu, ostaju ti bar dve digitalne linije za I2C ili RX/TX koje možeš da izoluješ ako ti treba i povežeš sa ostatkom HW-a.
Praktično možeš da radiš sa bilo kojim naponom sekundara ali da faznim zasekom limitiraš snagu koja se plasira na grejač.
Sa tim PIC je realizovan fazni zasek u 1000 podela po 50Hz polu-periodi i generalno radi to vrlo fino i precizno.
Cela caka je što to može i sa MOS-FET da se radi potpuno isto umesto triaka ali koncept ZCD sklopa i posebno izvršnog elementa mora da bude maksimalne brzine što u prevodu znači da se više isplati MCU držati na izolovanoj AC strani (na sekundaru glavnog transforamtora) i tu da bude detekcija i upravljanjenje gde ne smetaju nikakvi opto-coupleri, MOS-FET se pokreće iz MCU preko standardnog brzog (neizolovanog) drajvera i to je glavna tu stvar, sve ostalo može preko "sporih" optocouplera na I2C ili RX/TX.