Milane,
Butstrep kondenzator ne treba biti ni suviše mali, jer neće isporučiti dovoljno energije za highside drajver, i stvoriće se veliko talasanje napona.
Ako je previše veliki jer u tom slučaju njegovo inicijalno punjenje traje suviše dugo. Velike vrednosti imu da zahtevaju čak nekiliko perioda PWM signala za inicijalno punjenje. Talasnost će biti jako mala.
Optimalna vrednost butstrep kondenzatora treba biti takva da se inicijalno punjenje ostvari odmah u prvoj periodi PWM signala uz neku dopuštenu talasnost napona recimo 5% do 10%.
Postoji način kako se tačno računa njegova vrednost, pogledaj App-notu : http://www.silabs.com/Support%20Document.../AN486.pdf
Svi ti proračuni ( kao i za ostale drajvere sa butstrep kond.) računaju njegovu minimalnu vrednost potrebnu za normalno funkcionisanje
hi-side drajvera. Ta vrednost je često u nanofaradima.
U praksi važi pravilo da se dobijena vrednost pomnoži sa 10 do 20 puta ! , i upotrebi elektrolit sa malim ESR preko koga postaviš 100nF.
Obrni okreni, ako bez ikakve matematike upotrebiš recimo elektrolit 4,7uF + 100nF keramiku nećeš ni malo pogrešiti.
Ta vrednost je dovoljna da opslužuje veliki broj IC kola za drajvovanje mosfeta pri nekim razumnim peak strujama ( do par ampera)
Preko 10uF nije poželjno ići, osim ako neke saplikacije zahtevaju veće kapacitete butstrep kondenzatora.
Znači, sve od 1uF do 4,7uF su neke optimalne vrednosti.
U bilo kom sliučaju bitno je da imaš brzu diodu za punjenje tog kondenzatora.
Ja obično koristim SF15 ( Ima ih u Comet-u) a naravno može i bilo koja druga superfast dioda.
U nekim situacijama potrebno je i ograničiti jednim otpornikom maksimalnu struju punjenja, ali za sada ćemo to preskočiti.
*****
Neka Miki dopuni šta sam preskočio, jer i ja nisam koristio nikada ovo kolo !
Pozz
Butstrep kondenzator ne treba biti ni suviše mali, jer neće isporučiti dovoljno energije za highside drajver, i stvoriće se veliko talasanje napona.
Ako je previše veliki jer u tom slučaju njegovo inicijalno punjenje traje suviše dugo. Velike vrednosti imu da zahtevaju čak nekiliko perioda PWM signala za inicijalno punjenje. Talasnost će biti jako mala.
Optimalna vrednost butstrep kondenzatora treba biti takva da se inicijalno punjenje ostvari odmah u prvoj periodi PWM signala uz neku dopuštenu talasnost napona recimo 5% do 10%.
Postoji način kako se tačno računa njegova vrednost, pogledaj App-notu : http://www.silabs.com/Support%20Document.../AN486.pdf
Svi ti proračuni ( kao i za ostale drajvere sa butstrep kond.) računaju njegovu minimalnu vrednost potrebnu za normalno funkcionisanje
hi-side drajvera. Ta vrednost je često u nanofaradima.
U praksi važi pravilo da se dobijena vrednost pomnoži sa 10 do 20 puta ! , i upotrebi elektrolit sa malim ESR preko koga postaviš 100nF.
Obrni okreni, ako bez ikakve matematike upotrebiš recimo elektrolit 4,7uF + 100nF keramiku nećeš ni malo pogrešiti.
Ta vrednost je dovoljna da opslužuje veliki broj IC kola za drajvovanje mosfeta pri nekim razumnim peak strujama ( do par ampera)
Preko 10uF nije poželjno ići, osim ako neke saplikacije zahtevaju veće kapacitete butstrep kondenzatora.
Znači, sve od 1uF do 4,7uF su neke optimalne vrednosti.
U bilo kom sliučaju bitno je da imaš brzu diodu za punjenje tog kondenzatora.
Ja obično koristim SF15 ( Ima ih u Comet-u) a naravno može i bilo koja druga superfast dioda.
U nekim situacijama potrebno je i ograničiti jednim otpornikom maksimalnu struju punjenja, ali za sada ćemo to preskočiti.
*****
Neka Miki dopuni šta sam preskočio, jer i ja nisam koristio nikada ovo kolo !
Pozz