Thread Rating:
  • 1 Vote(s) - 5 Average
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
Synchronuous rectification mosfet univerzal modul <500KHz
#21
(11-25-2016, 12:25 PM)mikikg Wrote: Mala je plocica, ispasce relativno jeftino njena izrada ako moze da se u okviru jedne nesto vece PCB odradi panelizacija, reda 5x5cm ili koliko treba da se fino uklopi u povrsinu vise komada.

Seeedstudio sada ima u ponudi 7x7cm 10kom. za 10$. Ako bi pločica mogla da bude malo uža imali bi 60 kom za tih 10$.
https://www.seeedstudio.com/fusion_pcb.html

Dragane, sve pohvale za tvoj rad i trud!
Reply
#22
Na uže nemože više, več sada je minimalno odstojanje izmedju SMD elementa, ako jih još približim neznam ko če sam to lemiti.

SeedStudio sam čekirao
3x3=9 PCBjčiča sa rezom dodje cca "karikirano" 95x55mm
i za 10 paneliziranih hoče 15$ i dobije se 90 PCBjčiča (cca 17centa/kom),
što je isto i sa 70x70 za 60kom kao što je @gorankg predložio ,i ako bi smanjili design pločice.
a za 20 paneliziranih hoče 28$ i dobije se 180 PCBjčiča (cca 15,5centa/kom)
LP
Dragan
Reply
#23
Kako se vi lepo igrate :-) Baš vam zavidim :-)
Reply
#24
Malo sam doradio PCB,
označio pad za lemljenje mosfeta, nešto popravio silk screen

 


Shema Add_ON Boarda:




Sprint file:


.lay6   TEA1892.lay6 (Size: 62,74 KB / Downloads: 10)
LP
Dragan
Reply
#25
Navezano na temu:
https://forum.yu3ma.net/thread-10-post-1...#pid113093
LP
Dragan
Reply
#26
Shema TEA1892ATS Add_ON boarda

[Image: attachment.php?aid=35397]

-N_Mosfet odaberemo TO220 ili SMD TO-262-3 Long Leads
sa naponom Uds barem 2,5x večim od Vout usmerenog napona
Recimo, imamo 30VDC, uzmemo Mosfet sa 75V Uds_max ili višem
sa Id_max od barem 5x od nominalne Iout_max
Recimo imamo 2A Iout_max, Id_max neka je 10A+
Sa niskim Rds_ON, ranga manjim od 30mR
Sa malim Qgate_tot, ranga ispod 50nC

-SEL_REG ima mogučnost
Open, bez stavljanja elementa R_Sreg, tada imamo minimalni napon regulacije -30mV
Shorted, stavimo kratkospojnik na mesto R_Sreg, tada je napon regulacije -42mV
Tu imamo mogučnost popuniti Sel_Reg Charge pump
i razmerjem odabrane zenerice i otpornika prema SRsense pinu TEA1892
smanjimo taj standardni prag regulacije -30mV / -42mV
Recimo uzme se zenerica od 30V i otpornik 2M
tada imamo injeciranu struju ponora prema SRsense pinu od 30V/2M=15uA

Svaki 1uA ponora iz SRsense pina smanjuje naponski prag SRregulacije za 1mV

Kombinacijom 30V zenerke i 2M otpornika smo tako smanjili za 15mV standardni naponski prag regulacije,
sada imamo sa popunjenom SR charge pumpom naponske pragove:
-R_Sreg OPEN = -15mV
-R_Sreg Shorted = -27mV

-Sec_GND konekcija napajanja preko Charge pumpe upotrebljavamo za SR High Side strane.
Tada se 100nF preko BAS216 diodice puni u neg poluperiodi sekundara,
a kad nastupi pos poluperioda dobiva mosfet MMBF170 (može i koji drugi, 2N7002...) preko 220pF//82K signal aktivacije
mosfet kratkospoji sa Rds_ON kond 100nF na GND Add_ON boarda
i time preko efekta Charge pumpe preko diodica BAV99
napaja Vcc pin TEA1892

-Dodao sam još zenerku 30V (može i 32...36V) i otpornik R_vcc na Vcc konekciju
kad imamo Vout usmereno veče od 30V ili simetrični napon +/-30V
Zenerka klampuje max Vcc napon TEA1892 na 30V (inače ima 38V_max) a otpornikom limitiramo struju na max nekih 20mA
Recimo imamo Vout od +/-40V, R_vcc = {40-30V} / 20mA = 500R, stavimo 470R...510R
Otpornik upotrebimo za konekciju Vcc Add_ON boarda, nema mesta za njega na PCBjčiču
a zenerku možemo zalemiti preko 1uF konda C_vcc na PCBjčiču

LP
Dragan
Reply
#27
Kako radi TEA1892AT(S) SR sa N-Mosfetom umesto ispravljačke diode:

[Image: attachment.php?aid=35398]


[Image: attachment.php?aid=35369]

Interni komparator -220mV nadgledava Uds napon. Uds napon kad je negativan, tada bi bila aktivna body dioda mosfeta,
i kad napon Uds dostigne naponski prag -220mV,
Drive pin postane aktivan sa Blank vremenom (ATS = 0,8usec, TS = 1,5usec),
u to vreme biva gate "ispucan" sa max 10V Ugs, za što brže provodjenje i minimalan Rds_ON.
Takodjer ako imamo prisutan Ringing u to vreme, koji bi nam slučajno deaktivirao mosfet,
Blank vreme "maskira" tu mogučnost!

Nakon Blank vremena nastupi regulacija gata, tada se nadgledava preko Uds napona Rds_ON kanal,
naponskim pragom SEL_REG.
Recimo popunili SMO Sel_Reg Charge pumpu i odabrali -40mV naponski prag regulacije.
Drive regulira gate tako, da struja Idrain sa Rds_ON usvaruje napon ne veči od odabranog naponskog praga regulacije,
ako je napon manji, onda Drive spušta Ugs napon, ako je veči od reg.praga onda Drive drivuje gate sa višim naponom Ugs,
max sa 10V koliko je naponsko limitiran pin Drive.

Zašto sad zatrebamo regulaciju gata?

Pa da nam je Uds napon u granicama odabranog naponskog praga sa što nižim Ugs naponom,
time gate nije zasičen!
i kad zatreba brzi OFF mosfeta, sa regulacijom Ugs to biva vrlo brzo!!!

Zapravo Drive "prati" struju Id kroz mosfet, što vidimo i na oscilogramu što ga je @Zoky2 postavio sa LLC switčerom

[Image: attachment.php?aid=35365]

Zapazimo da kao što se veča struja Id, produkt Id*Rds_ON se veča,
posledično Drive viša napon kako bi smanjili Rds_ON i imali produkt=napon praga regulacije

Kad napon Uds postane positivniji od naponskog praga regulacije, Drive smanjuje Ugs,
a kad stigne na prag -12mV onda brzo gasi mosfet, Drive obara brzo gate.
LP
Dragan
Reply
#28
Upotrebit ču @zoky2 oscilogram LLC pretvarača u opterečenom modu
tema: https://forum.yu3ma.net/thread-10-post-1...#pid112980

Oscilogram je Ugs ili Drive out napon, 2V/div, plavi trace
i Uds sa 20V/div, žuti trace

Dodao sam u oscilogram struju, crveni i zeleni trace crtan u Paint-u (ako bi jemerili kroz SR mosfete
i Zoom Uds-a, narančasti i svijetlo žuti trace
da se vide detajli u rangu oko par stotina mV u neg, kad bi počela provoditi body dioda SR mosfeta.

[Image: attachment.php?aid=35401]

Nakon Ringinga Uds mosfeta, kojeg če @zoky2 sa RC snubberom smanjiti (1nF-22R recimo, ili experimentalno u par iteracija preciznije!)
u to vreme je SR1 mosfet zatvoren, Drive SR1 klampovan na source SR1,
imamo porast struje kroz body diodu SR1, struja exponencialno raste, tvori se nam napon Uds,
sada je napon Uds negativan i kad dostigne prag -220mV internog komparatora,
Drive postane aktivan i "udari" maximalno gate SR1 sa naponskim impulzom (max do 10Vpeak, interno limitiran Drive)
"ispuca" se strujno u to Blank vreme t_blank u gate, forsirajuči mosfet u aktivno stanje sa minimalnim Rds_ON,
nakon t_blank vremena, nastupi faza regulacije Drive, gdje je produkt i_sr1*Rds_ON1 max SRsense prag.
SRsense prag recimo da smo sa SelREG (charge pumpom ili bez) podesili da nam je -30mV,
Kako se nam veča struja i_sr1 , tako se nam veča produkt i_sr1*Rds_ON1 i Drive veča drivovanje gata SR1,
da bi dodatno smanjio taj produkt smanjenjem Rds_ON, što se vidi na oscilogramu Udrive.

Kasnije počinje struja i_sr1 opadati, skladno smanjenjem Udrive napona,
i kad dostigne Uds = i_sr1*Rds_ON1 prag -12mV internog komparatora, Udrive klampuje na source SR1,
vidimo blagi porast napona Uds u negativu,
sad provodi preostatak struje i_sr1 (koji je blizu nuli) samo body dioda
Uds postane pozitivan, bodi dioda je zatvorena,
i počinje ciklus SR2 sinhronog mosfet usmjerivanja...

Zoomiranjem na t_blank vreme vidimo da Ugs poskoči sa brzinom približno 8V/0,45usec, upotrebljen mosfet je IPI037N08N3G
koji ima oko 100nC Qgate_tot, i možemo procijeniti odokativno da gate "ispucamo" sa Igate_blank = Qgate_tot / t_trans = 100nC/450nces = cca 0,2A


Attached Files Thumbnail(s)

LP
Dragan
Reply


Forum Jump:


Users browsing this thread: 1 Guest(s)