Pa fora je u tome da SiC komponente upravo najavljuju "veliki povratak" hard switching metoda jer postižu jednak ili veći KKD od rezonantnih.
Ovde rezonantni skoro da nema šta da "podigne" sa optimizovanim KKD od slovima 98% i to pri 10,4KW na 1KV napajanja.
SiC i SiC-GAN, u kombinacijama sa novim nanocristaline jezgrima, posebno pri srednjm frekvencijama reda 20-50KHz, gde se može ići na indukcije reda 0.6T, po efikasnosti i gabaritima prevazilaze sve poznate rezonantne toplologije, i smanjuju trošak oko skupih i zahtevnih kondenzatora koji moraju raditi sa velikim reaktivnim strujama.
To se posebno odnosi na push pull konvertore kod kojih postoji serijski kondenzator ka primaru trafoa, relativno nezahtevan jer nema moćnih rezonantnih struja, a nanocristaline sa ogromnim permeabilitetom, pri hard switching uslovima obezbeđuju ekstremno malu reaktivnu energiju u celom pretvaraču.
Naime, nanocristaline jezgra, sa veoma velikim permeabilitetom su PREOSETLJIVA i na najmanji DC bias, što ih strogo svrstava u kategoriju pretvarača sa preciznim balansom voltsekundnog proizvoda, za opcije sa minimalnim gabaritom trafoa.
Sa nanocristaline jezgrima koja imaju manju permeabilnost i tolerišu izvestan DC disbalans, delimično se gube prednosti ovih prethodno navedenih i gabariti opet počinju da "rastu"...
Kod rezonantnih i kod ZVT topologija je neophodna izvesna (ni malo zanemarljiva) količina parazitne reaktivne energije u sistemu, radi ostvarenja: ZVS, ZVT ili ZCS, ZCT.
Ta parazitna reaktivna energija automatski povlači za sobom upotrebu značajno predimenzionisanih komponenti po struji ili naponu respektivno sa ZVS(ZVT) ili ZCS(ZCT).
Klasičan LLC na primer, za okvirnih par ampera struje prekidača, mora imati prekidače za bar 2-3 piuta veće struje.
Kod SiC hard switching se to dimenzioniše malo iznad potrebe (uglavnom će presuditi Rds_on gubici oko izbora mosfeta).
Pogledajte ovaj dokument:
https://www.google.rs/url?sa=t&rct=j&q=&...UQ&cad=rja
Na stranicama 14, 15, 16. se vidi efikasnost demo modela kojoj ne mogu prići rezonantni konvertori.
O tome pričam kad kažem da će se na velika vrata vratiti hard switching sa poboljšanjem SiC i SiC GAN komponenti.
Pozz
Ovde rezonantni skoro da nema šta da "podigne" sa optimizovanim KKD od slovima 98% i to pri 10,4KW na 1KV napajanja.
SiC i SiC-GAN, u kombinacijama sa novim nanocristaline jezgrima, posebno pri srednjm frekvencijama reda 20-50KHz, gde se može ići na indukcije reda 0.6T, po efikasnosti i gabaritima prevazilaze sve poznate rezonantne toplologije, i smanjuju trošak oko skupih i zahtevnih kondenzatora koji moraju raditi sa velikim reaktivnim strujama.
To se posebno odnosi na push pull konvertore kod kojih postoji serijski kondenzator ka primaru trafoa, relativno nezahtevan jer nema moćnih rezonantnih struja, a nanocristaline sa ogromnim permeabilitetom, pri hard switching uslovima obezbeđuju ekstremno malu reaktivnu energiju u celom pretvaraču.
Naime, nanocristaline jezgra, sa veoma velikim permeabilitetom su PREOSETLJIVA i na najmanji DC bias, što ih strogo svrstava u kategoriju pretvarača sa preciznim balansom voltsekundnog proizvoda, za opcije sa minimalnim gabaritom trafoa.
Sa nanocristaline jezgrima koja imaju manju permeabilnost i tolerišu izvestan DC disbalans, delimično se gube prednosti ovih prethodno navedenih i gabariti opet počinju da "rastu"...
Kod rezonantnih i kod ZVT topologija je neophodna izvesna (ni malo zanemarljiva) količina parazitne reaktivne energije u sistemu, radi ostvarenja: ZVS, ZVT ili ZCS, ZCT.
Ta parazitna reaktivna energija automatski povlači za sobom upotrebu značajno predimenzionisanih komponenti po struji ili naponu respektivno sa ZVS(ZVT) ili ZCS(ZCT).
Klasičan LLC na primer, za okvirnih par ampera struje prekidača, mora imati prekidače za bar 2-3 piuta veće struje.
Kod SiC hard switching se to dimenzioniše malo iznad potrebe (uglavnom će presuditi Rds_on gubici oko izbora mosfeta).
Pogledajte ovaj dokument:
https://www.google.rs/url?sa=t&rct=j&q=&...UQ&cad=rja
Na stranicama 14, 15, 16. se vidi efikasnost demo modela kojoj ne mogu prići rezonantni konvertori.
O tome pričam kad kažem da će se na velika vrata vratiti hard switching sa poboljšanjem SiC i SiC GAN komponenti.
Pozz