DIY Electronic projects
Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Printable Version

+- DIY Electronic projects (https://forum.yu3ma.net)
+-- Forum: Sve ostalo - Everything else (https://forum.yu3ma.net/forumdisplay.php?fid=9)
+--- Forum: Sve i svašta (https://forum.yu3ma.net/forumdisplay.php?fid=41)
+--- Thread: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... (/showthread.php?tid=264)



RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-09-2021

(01-09-2021, 10:30 AM)branko tod Wrote: Potrebna mi je preporuka za komplementarne tranzistore kojih ima na domaćem tržištu,
da su radnog napona 600-800V, struje do 0,5A i u, recimo, TO126 kućištu. I male cene.

Mnogo su ti retki PNP za preko 500V. Još je teže da zanovetaš sa kućištem.

Imaš na Mouseru komplementarni HV par 0.5A 600V: PBHV8560Z i PBHV9560Z.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - branko tod - 01-09-2021

Maštam, ne zanovetam. Voleo bih da ih ima negde ovde pod rukom,
a ne tamo daleko. Možda ću probati da promenim šemu da mogu
svugde NPN. Moram da vidim da li je moguće ...


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-09-2021

Ma šalim se ja oko zanovetanja. Stvarno je veoma loš izbor pnp preko 500V, komplementaraca još manje, a tek kućište za biranje (ono sa muzičkom željom :-)...

Inače, "Topelcodis" iz Niš(a) :-) nabavlja to za desetak dana odakle pomisliš.

Ne znam šta praviš, ali dosta toga se može implementirati sa npn, a ako ti treba baš visok napon i ogromna brzina: ESBT struktura, SiC, GaN...

ESBT struktura (mali mosfet kaskodno sa HV BJT) je interesantna opcija jer se mogu potrošiti razni BUxxx iz prošlih vremena za HIS iz CRT TV


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - branko tod - 01-09-2021

Pravim neku varijantu H mosta koja treba da napaja mali umnoživač napona
direktno sa 400V dc, a da bude baš jeftinin, nekoliko stotina din.

Što se izbora tiče znam Sad zato i pitam pa se sve nadam da neko negde ima
Aladinovu lampu ...


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-09-2021

Mislim da to nije problem napraviti za tako jednostavnu operaciju, i to sa svim npn tranzistorima.
Tom H mostu nije bitan THD i radi u sw. režimu, gde je poželjan dead time na polumostovima.

Evo ti predloga, ukoliko nije nužan totalni swing signala (imaćeš par volti manjka od 400V, kad je izlaz na polumostu blizu 400V).


.pdf   H_bridge.pdf (Size: 6 KB / Downloads: 52)

Na donjim bazama ti je Baker klamp, ako ti treba velika brzina rada mosta.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - branko tod - 01-10-2021

Mogu da ti kažem da mi se mnogo dopada. Frekvencija je relativno mala 20-30 khz.
Diode 1 i 2 baš rešavaju problem. Šta rade diode D4 i 5?

Vrednosti R1 i R2? Oni su škakljivi, ako su mali, velika disipacija, ako su veliki, veliki
pad napona na tranzistorima.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-10-2021

Ovako Bane,

R1 i R2 mogu biti niskodisipativni i da gornji tranzistori imaju relativno mali napon saturacije. To se uradi tako da gornji tranzistori budu darlington konfiguracije.

I dalje ne znam koliko struje ti treba na izlazu pa sam ovako uopšteno nacrtao.

Gornjim tranzistorima brzina nije problem zato što im baza dobija inverzni napon, klampovan na -1V sa D1 i D2, što obavlja dosta brzo "čišćenje" nosilaca iz regiona baze. To jako ubrzava rad gornjih tranzistora, odnosno njihovo "gašenje", kad je po jedan tranzistor gore. Kod darlingtona ću ti nacrtati metod ubrzanja.

Uz put: Isključenje BJT (takođe i IGBT) je ključni problem zbog sporog čišćenja zaostalih nosilaca iz deonice baze. To je osnovno ograničenje njihove brzine. Kod HV aplikacija se to prevazilazi jakom inverznom polarizacijom baze, sa poprilično struje, kao na primer kod BUxxx tranzistora u HIS, gde je inverzni napon baze čak -12Vpk a sustain oko -3 do -5V i tako je to moglo pri tim naponima (do 1500Vpk) da radi "čak" na 15625Hz.
Philips je prvi izmislio HV switching BJT i istovremeno i metode  drajva baze sa maksimalnim ubrzanjem tranzistora pomoću forsiranog odsisavanja slobodnoih nosilaca baze.
Emiter folower radi solidno brže od spoja sa zajedničkim emiterom, dok spoj sa zajedničkom bazom radi najbrže jer ima bias emitera sa oba polariteta, pa odnošenje slobodnih nosilaca nije problem, ali mu treba podosta snage za pobudu...
Iz tog razloga je jako brza struktura ESBT, zato što bjt radi u spoju zajedničke baze i sam sebi počisti slobodne nosioce.


.pdf   ESBT.pdf (Size: 4,56 KB / Downloads: 23)


Donji tranzistori nemaju reverzni napon baze i iz tog razloga je primenjen Baker klamp. Suština rada Baker klampa je da tranzistor sam sebi spreči duboku saturaciju (Kad Vce_sat postane dovoljno nizak on sam sebi oduzme deo bazne struje i održava se na tom nivou sa "lakom" saturacijom).
Kada nije u dubokoj saturaciji, onda se tranzistor veoma brzo oporavlja iz stanja provođenja, tj. desetak puta se brže "gasi" nego bez toga.

Baker klamp se kod niskih napona (<100V) izvodi samo jednom šotki diodicom kolektor-baza, međutim, kad se radi sa HV, šotki ne dolazi u obzir, a HV Si diode imaju napon barijere bar 0.65V, odnosno jednak pragu barijere spoja B-E.
Iz tog razloga se postavljaju diode D3 i D6 kao "level shift" a D4 i D5 rade kao Baker klamp.
Naravno, D4 i D5 moraju biti za pun radni napon i ultrafast tipa (npr. UF4007).
R5 i R6 služe za "čišćenje" bazne deonice od slobodnih nosilaca i ubrzavaju gašenje, Takođe se preko D3 i D6 dodatno može postaviti C reda 470pF.

Ako se za gornje tranzistore pravi darlington, onda drugi tranzistor takođe treba da ima odvodni otpornik ka svom emiteru, za čišćenje zone baze, eventualno i mali kondenzator preko B-E od prvog u darlingtonu, opet za forsirano odsisavanje slobodnih nosilaca.

Svakako da se to što ti treba može napraviti i sa jevtinim HV mosfetima (pošto pretpostavljam da su male snage u pitanju, na osnovu tvoje izjave "mali multiplikator napona").

Evo uopštene šeme metoda ubrzavanja baza kod BJT, takođe i H mosta sa mosfetima sa boostrap pogonom gornjih gejtova i metodama ubrzanja pražnjenja Qg.


.pdf   H_1_2.pdf (Size: 10,44 KB / Downloads: 18)


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - branko tod - 01-10-2021

Struja je oko 50mA.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-10-2021

Pa to je "sića".
Nađeš neke mosfetiiće za 500V i do 1A plafon i vozi Miško.
Nešto poput ovog ili još možda jevtinije:
https://www.retam.co.rs/katalog#VHJhbnppc3Rvcg==:Ti1GRVQrWi1EaW8=:NjAwVg==

I tu može da se uštedi snaga za otpornike gejtova, jer su oni reda nekoliko desetina oma a napajaju se sa 12V kad je izlaz dole, ovako:


.pdf   Draft4.pdf (Size: 4,98 KB / Downloads: 19)


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-10-2021

Postoji i još jedan način koji je potpuno integrisan, pošto ti ne treba velika struja.

Uzmeš dva komada IR2153 i pokreneš ih protivfazno spoljnim taktovanjem i ende.
U H mostu mogu bez frke dati 50mA izlaza i to do preko 500V napajanja.

P.S
Uz malo razmišljanja možeš pokupiti signal sa jednog komada, sa njegovog internog oscilatora i protivfazni signal sa njega (čini mi se da je na LD) dovesti na RT-CT pin drugog. Naravno, moraš signal limitovati na >1/6, >1/3 i >2/3 Vcc da ti drugi čip ne ode u standby.

P.P.S.

Crtao sam baznu ideju za protivfazni rad IR215x, ovde negde, oko teme za PSM pretvarač, ali nemam vremena da tražim.
Imaš tamo limitere za pin Ct-Rt.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - branko tod - 01-10-2021

Hvala ti puno. Od tebe dosta, sada je na mene red.
Potražiću tu temu, pa onda na posao.

https://forum.yu3ma.net/attachment.php?aid=701


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-10-2021

Zaboravih boostrap C u prethodnoj šemi.


.pdf   zaboravljen_boostrapC.pdf (Size: 5,12 KB / Downloads: 22)


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Macola - 01-10-2021

Ok. Imaš razne mogućnosti pa guraj. Nema na čemu.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Ebe - 01-12-2021

Koji bi lepak preporucili za lepljenje aluminijuma i kombinacije MDF na aluminijum da se spoj nikad vise ne moze rastaviti?


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - zbotic - 01-12-2021

Teško je lijepiti aluminij. Treba dobro površinu nahrapaviti (čeličnom četkom)i onda onaj epoksid za metal. To je ustcvari klasični epoksi sa metalnim punilom.

https://bison.hr/proizvod/bison-epoxy-metal/


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Khadgar2007 - 01-13-2021

Ja sam na zadnjih par radova upravo ljepio aluminij na drvo. Bilo je kombinacija plastificirani aluminij na puno drvo i goli aluminij na drvo i bez problema hvata i običan epoksi.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Ebe - 01-13-2021

Hvala. I ja sam nasao bison epoxy ali ne skodi pitati, mozda neko koristi nesto jace, bolje. Treba mi za sastavljanje kucista. I dalje nemam potpuno poverenje u lepak pa cu delove koji nose donju plocu i trafo "overiti" srafovima.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - zbotic - 01-13-2021

Ljepilo se neće odvojiti to je 99% sigurno, ali postoji problem da se medijapan rasloji neposredno ispod ljepila. Zato treba paziti da kod lijepljenja sve idealno naliježe tj. da metal bude ravan i bez velikog pritezanja, bolje staviti malo više epoksida makar bio i neki drugi, jeftiniji. Ja trenutno obilato koristim za te stvari epoksid koji se koristi za izradu samoizravnavajučih podova u građevinarstvo jer je višestruko jeftiniji i to savršeno funkcionira. Jedino što se suši dva dana.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - Khadgar2007 - 01-13-2021

Baš iz tog razloga ja nisam nikada stavljao MDF već puno drvo,obične jelove daske koje se nađu posvuda a jeftine su. Znam da MDF tijekom godina može povući dosta vlage i početi se raslojavati.


RE: Da ne otvaram novu temu, par pitanja... - danibosn - 01-13-2021

ne znam kolike su povrsine ali ako ima bar po centimetra moze se to zalipiti i sikaflexom